编写一个程序，模拟一个页式虚拟存储管理系统。（不考虑地址转换） 其中，由系统随机产生进程； 进程大小、进程到达次序、时间、进程执行轨迹（页面访问顺序）也随机生成，但进程之间必须有并发存在，进程执行时间需有限，进程调度采用时间片轮转算法（以页面模拟）； 物理块分配策略采取固定分配局部置换； 分配算法采用按比例分配算法； 调页采用请求调页方式； 置换采用LRU算法； 驻留集大小可调，观察驻留集大小对缺页率的影响。-Write a program that simulate

MB85RC64了 FRAM（铁电随机存取记忆体）独立芯片配置了8192×8位，形成铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术非易失性内存中的细胞。 MB85RC64采用两线串行接口（与世界标准的I2C总线兼容）。与SRAM不同的MB85RC64是无需使用数据备份电池，能够保留数据。 MB85RC64的读写次数10亿次，与EPROM和FLASH相比，有显著的改善。而且不在向写完存储器后，不需要查询序列。 -MB85RC64 out FRAM (ferroelectric random acce