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NOR和NAND
- 文档详细说明了NOR和NAND闪存各自的特性， 和使用要点。-Documents about the flash memory of both NOR and NAND type.
NANDFLASHMEMORY
- NAND FLASH MEMORY原理库
Samsungnandflash
- Samsung nand flash MEMORY ECC结构和检验
S3C2440_CN_PDF.rar
- 整理好的最全的S3C2440中文资料，包含18章节。如下：第1章 产品概述 第2章 处理器工作模式 第5章 内存控制器 第6章 Nand Flash控制器 第7章 时钟与电源管理 第8章 直接存储器存取 第10章 PWM及定时器 第11章 UART 第14章 中断控制器 第16章 ADC和触摸屏接口 第17章 实时时钟 第18章 看门狗定时器 第19章 MMC/SD/SDIO控制器 第20章 IIC总线接口 第21章 IIS总线接口 第22章 SPI（串行外围设备接
simulator
- 开源的基于SystemC的模拟器，可以模拟ARM CPU, Cache, DDR，NOR, NAND, 时序和功耗均可以正确模拟。-This simulator is a cycle-accurate system-level energy and timing simulator. Developed by Embedded Low-Power Laboratory, Seoul National University. The simulator’s underlying kernel is
STM3210ELK
- STM3210E-LK 开发板的使用手册 -User manual of STM3210E-LK learning kit The STM3210E-LK is a version of the STM32-LK learning kit for the STM32F103ZET6 (LQFP144) microcontroller. The STM32F103ZET6 is high density STM32 microcontroller based on the Cort
User_manual_2410x
- This manual describes SAMSUNG s S3C2410X 16/32-bit RISC microprocessor. This product is designed to provide hand-held devices and general applications with cost-effective, low-power, and high-performance microcontroller solution in small die size
K9F1G08U0A1_IcpdfCom
- 128M x 8 Bit NAND Flash Memory设计文档
6225schematics
- The MT6225 is a highly integrated single chip solution for GSM/GPRS phone. Based on 32-bit ARM7EJ-STM RISC processor, MT6225 features not only high performance GPRS Class 12 MODEM but is also designed with support for the wireless multi-media
NandFlash_RW_implementation
- Software to implement interface with NAND Flash chips. Based on S3C2410 chip. It includes software to read NAND flash memory through JTAG interface of the chip using LPT port. (NAND flash interface spec is included)
uffs-1.3.0
- nand flash ，文件系统，适合用于嵌入式开发，消耗内存小-nand flash, file system, suitable for embedded development, small memory consumption
msp430
- msp430 实验代码 1,MSP430开发基础 2，键盘设计 3，数码管显示电路设计 4，液晶模块接口 5，MSP430 CRC 6，中文输入法 7，数据压缩算法 8，FIR滤波 9，FFT算法 10，波特率自动识别 11,串行存储 12；NAND flash 接口 13；A/ D，TLV2541 14；DA DAC8830 15；ADS1241 16；温度 TMP100 17；定时器 DAC
nand
- arm有关NAND FLASH存储器 的编程-arm about programming NAND FLASH memory
YLP2440
- 1.1 YLP2440开发板简介 YLP2440开发板硬件资源: 中央处理器 ── CPU: Samsung S3C2440A，主频400MHz； 外部存储器 ── SDRAM：64MB； ── NAND Flash：64MB（K9F1208，用户可自己更换为16M、32M或128M的NandFlash） 串口 ── 两个五线异步串行口，波特率高达115200bps； 网络接口 ── 一个10M/100M网口，采用DM9000AEP，带联接和传输指示灯；-1.1 YLP2440 Developm
ARM9-Based_module_of_TFT_LCD
- 介绍了一种基于ARM9的彩色薄膜晶体管液晶显示模块(TFT—LCD)的设计和实现方法。为了解决图像及字符在液晶模块上的实时显示，图像库及字符库存储在容量达64 Mbyte的NAND Flash闪存中，可以根据不同需求对图像库及字符库进行更新。模块支持24 bit彩色RGB格式图像的显示，还支持JPEG格式图像的显示，JPEG图像的解码功能在ARM9处理器上实现。模块采用串口方式与其他外接主控系统通信，-Introduces ARM9-based thin-film transistor colo
2440test
- This the Samsung S3C2440 test code, mainly for NAND flash memory test.-This is the Samsung S3C2440 test code, mainly for NAND flash memory test.
nand_read
- 本源码是基于S3C—6430的ARM11嵌入式开发板的NAND FLASH程序的编写。NAND写回速度快、芯片面积小，特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH)，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8 MB
MCP2510-Nand-flash-test
- 基于板子s3c2410 MCP2510的nand flash 存储器的实验，开发平台为ads1.2-Board MCP2510 nand flash memory-based experiments, the development platform for ads1.2