搜索资源列表
4.13－FLASH存储器
- 此代码是EASYARM调试程序的Flash的c＋＋代码，硬件调试ok，并且本人画的PCB板上也调试ok-EASYARM debugging procedures Flash c + + code, hardware debugging ok, and I painted the PCB board also debugging ok
HCS08FLASHEEPROM
- 在HCS08微控制器上使用FLASH存储器模拟EEPROM，带书籍的说明！
src
- 深圳优龙基于三星S3C2440芯片的YL2440开发板测试源码，包括底板各种驱动测试代码，例如摄像头，红外，存储器，Flash
Flash_SST25
- 串行 flash 存储器 SST25VFxxx 芯片接口控制程序
DEC6713_FLASH
- ti6713 对FLASH外部存储器操作
ARM资料包
- 软件包 LPC2000_I2CLPC2000微控器I2C软件包[ZIP] LPC2104模拟总线软件包[ZIP] uCOS-II V2.52在LPLPC2000C系列ARM微控制器上的启动代码[ZIP] LPC213x SSI通讯实验[ZIP] 原理图 ISP1181B与LPC2214接线原理图[PDF] ISP1160与LPC2214接线原理图[PDF] ARM微控制器与以太网控制芯片连接电路图[PDF] LPC210x 与
S3C2440_CN_PDF.rar
- 整理好的最全的S3C2440中文资料，包含18章节。如下：第1章 产品概述 第2章 处理器工作模式 第5章 内存控制器 第6章 Nand Flash控制器 第7章 时钟与电源管理 第8章 直接存储器存取 第10章 PWM及定时器 第11章 UART 第14章 中断控制器 第16章 ADC和触摸屏接口 第17章 实时时钟 第18章 看门狗定时器 第19章 MMC/SD/SDIO控制器 第20章 IIC总线接口 第21章 IIS总线接口 第22章 SPI（串行外围设备接
C2xx_bcx
- 片上存储器自编程技术研究,微处理器芯片的片内flash存储器的编程控制技术-program
3.User_Manual
- 3. User Manual --- --- --- --- --- --- ----- STM32F10xxx系列微控制器用户手册 3.1 Reference Manual -------------------------------- STM32F10xxx系列微控制器的存储器和外设参考手册 3.2 Programming Manual ------------------------------ STM32F10xxx闪存编程手册 3.3 Firmware ------
c8051f020
- Cygnal C8051F系列单片机的功能部件包括模拟多路选择器可编程增益放大器ADCDAC电压比较器电压基准温度传感器SMBus/ I2CUARTSPI可编程计数器/定时器阵列PCA定时器数字I/O端口电源监视器看门狗定时器WDT和时钟振荡器等所有器件都有内置的FLASH存储器和256字节的内部RAM有些器件还可以访问外部数据存储器RAM即XRAM Cygnal C8051F系-Cygnal C8051F MCU' s features, including analog multi
msp430x20x3_flashwrite_01
- 对msp430中的flash存储器内容进行刷写，可以将重要数据保存到flash存储器中，使开机时可以直接调用设定值-Msp430 in the flash memory on the content of brush writing, important data can be saved to the flash memory to boot directly call settings
nand
- arm有关NAND FLASH存储器 的编程-arm about programming NAND FLASH memory
YLP2440
- 1.1 YLP2440开发板简介 YLP2440开发板硬件资源: 中央处理器 ── CPU: Samsung S3C2440A，主频400MHz； 外部存储器 ── SDRAM：64MB； ── NAND Flash：64MB（K9F1208，用户可自己更换为16M、32M或128M的NandFlash） 串口 ── 两个五线异步串行口，波特率高达115200bps； 网络接口 ── 一个10M/100M网口，采用DM9000AEP，带联接和传输指示灯；-1.1 YLP2440 Developm
nand_read
- 本源码是基于S3C—6430的ARM11嵌入式开发板的NAND FLASH程序的编写。NAND写回速度快、芯片面积小，特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH)，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8 MB
MCP2510-Nand-flash-test
- 基于板子s3c2410 MCP2510的nand flash 存储器的实验，开发平台为ads1.2-Board MCP2510 nand flash memory-based experiments, the development platform for ads1.2
STM32F10xxx_flashProgram
- 本编程手册介绍了如何烧写STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存存 储器。为方便起见，在本文中除特别说明外，统称它们为STM32F10xxx。 STM32F10xxx内嵌的闪存存储器可以用于在线编程(ICP)或在程序中编程(IAP)烧写。 在线编程(In-Circuit Programming – ICP)方式用于更新闪存存储器的全部内容，它通过JTAG 、 SWD协议或系统加载程序(Bootloader) 下载用户应用程序到微控制
JTAG
- 通过jtag协议对arm的操作，读写arm的外围存储器flash芯片-read and write the flash of arm
STM32F746-DMA
- 这stm32f746代码描述了如何使用DMA传输 一个字的数据缓冲区从闪存的嵌入式SRAM存储器通过 HAL API。-This STM32F746 code provides a descr iption of how to use a DMA to transfer a word data buffer FLASH memory to embedded SRAM memory through the HAL API.