使用从互联网的信息aeMB是EDK3.2适合Microblaze核心的洁净室实施。 它是周期和指示适合对多数软件命令的MB。 因为它不是100 建筑上适合，没有意味，因为在替换的下落Microblaze的。 这是能够移动和操作数据到/从记忆的CPU核心。 它没有任何外围设备亦不中断控制器，虽然外在中断提供支持。 所有外围设备和他们的各自记数器能被映射到数据记忆或FSL存储量。 它有一辆分开的指示、数据和FSL公共汽车。 -The aeMB is a clean room implementati

本源码是基于S3C—6430的ARM11嵌入式开发板的NAND FLASH程序的编写。NAND写回速度快、芯片面积小，特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH)，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8 MB

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